Parámetro Técnico
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 140μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
22 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
4-SMD
Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, No Lead
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