Tecnología
-
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
-
40A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
-
34mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
-
2.6V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
79 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
4200 pF @ 20 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
1.75W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
-
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
-
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
-
TO-220-3
