Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
40A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
34mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.6V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
79 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4200 pF @ 20 V
Disipación de potencia (Máx.)
1.75W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
