El SK Hynix HMCG94MEBQA112N es un módulo de memoria DRAM de tipo DDR4, diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en computadoras y servidores. Este componente es parte de la línea de productos de memoria de SK Hynix, una de las principales empresas en la fabricación de semiconductores y soluciones de memoria. A continuación, se presenta una descripción detallada de sus especificaciones y características.
## Especificaciones Técnicas
1. Tipo de Memoria: DDR4 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory).
2. Número de Parte: HMCG94MEBQA112N.
3. Capacidad: 8 GB, lo que permite un almacenamiento adecuado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento.
4. Velocidad: 2400 MT/s (megatransferencias por segundo), lo que proporciona un ancho de banda elevado para el procesamiento de datos.
5. Voltaje de Operación: 1.2 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética en comparación con generaciones anteriores de memoria.
6. Formato: SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module), diseñado para ser utilizado en laptops y sistemas compactos.
7. Latencia: CL17 (CAS Latency), que indica el número de ciclos de reloj que se requieren para acceder a los datos en la memoria.
8. Organización: 1024M x 64, lo que se refiere a la disposición interna de las celdas de memoria.
9. Temperatura de Operación: Rango de -40 °C a +95 °C, lo que permite su uso en diversas condiciones ambientales.
## Características Adicionales
- Eficiencia Energética: El diseño de bajo voltaje de la memoria DDR4 permite un menor consumo de energía, lo que es crucial para dispositivos móviles y servidores que operan continuamente.
- Mejora en el Rendimiento: La tecnología DDR4 ofrece un mayor ancho de banda y una mejor eficiencia en comparación con DDR3, lo que se traduce en un rendimiento superior en aplicaciones exigentes.
- Compatibilidad: Este módulo es compatible con una amplia gama de sistemas
