Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.5V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
4 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
280 pF @ 10 V
Característica de FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
MicroFET 3x3mm
Paquete / Caja (carcasa)
6-WDFN Exposed Pad
