Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
11.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
30 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1235 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
