Tipo
Power Transistor Driver
Power Transistor Driver
Voltaje - Aislamiento
5000Vrms
5000Vrms
Inmunidad de transiente de modo com鷑 (M韓.)
10kV/µs
10kV/µs
Corriente - Salida/Canal
500mA, 600mA
500mA, 600mA
Retardo de propagación tpHL/tpHL (Máx.)
5µs, 5µs
5µs, 5µs
Tiempo de subida/bajada
200ns, 100ns
200ns, 100ns
Voltaje - Directo (Vf) (típ)
1.1 V
1.1 V
Corriente - CC directa (If) (máx.)
25 mA
25 mA
Voltaje de la fuente
5.4V ~ 13V
5.4V ~ 13V
Temperatura de funcionamiento
-20 ℃ ~ 80 ℃
-20 ℃ ~ 80 ℃
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP
8-DIP
