Configuración dirigida
Half-Bridge
Low-Side
Tipo de canal
Independent
Independent
Cantidad de controladores
2
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
3V ~ 18V
4.5V ~ 15V
Voltaje lógico - VIL, VIH
1.2V, 1.6V
1V, 2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
4A, 6A
4A, 4A
Tipo de entrada
CMOS/TTL
Inverting, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
-
Tiempo de subida/bajada
6ns, 7ns
20ns, 15ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 130 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
14-SOIC
8-HVSSOP
