Configuración dirigida
Half-Bridge
Low-Side
Tipo de canal
Independent
Single
Cantidad de controladores
2
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
3V ~ 18V
4V ~ 15V
Voltaje lógico - VIL, VIH
1.2V, 1.6V
1.1V, 2.7V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
4A, 6A
9A, 9A
Tipo de entrada
CMOS/TTL
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
-
Tiempo de subida/bajada
6ns, 7ns
20ns, 20ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 130 ℃ (TJ)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
14-SOIC
8-PDIP
