Estado
Discontinued
Active
Configuración dirigida
Low-Side
Low-Side
Tipo de canal
Single
Independent
Cantidad de controladores
1
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
4.7V ~ 18V
5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2V
0.8V, 2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
6A, 6A
3A, 3A
Tipo de entrada
Inverting, Non-Inverting
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
-
Tiempo de subida/bajada
85ns, 85ns
25ns, 25ns
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDIP
8-PDIP
