Tipo de memoria
Non-Volatile
Non-Volatile
Formato de la memoria
EEPROM
EPROM
Tecnología
EEPROM
EPROM - UV
Organización de la memoria
256 x 8
128K x 8
Interfaz de memoria
I2C
Parallel
Frecuencia de reloj
100 kHz
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
15ms
-
Tiempo de acceso
3.5 μs
150 ns
Voltaje de la fuente
2.7V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP
32-CDIP
