Tipo de memoria
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Volatile
Formato de la memoria
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SRAM
Tecnología
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SRAM - Asynchronous
Organización de la memoria
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1K x 4
Interfaz de memoria
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Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
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150ns
Tiempo de acceso
-
150 ns
Voltaje de la fuente
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4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
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-55 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Tipo de montaje
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Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
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18-CDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
-
18-CDIP
