Tipo de memoria
Non-Volatile
Volatile
Formato de la memoria
EPROM
SRAM
Tecnología
EPROM - UV
SRAM - Asynchronous
del programa
256Kbit
4Kbit
Organización de la memoria
32K x 8
4K x 1
Interfaz de memoria
Parallel
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
55ns
Tiempo de acceso
350 ns
55 ns
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
28-CDIP
18-CDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
28-CDIP
18-CDIP
