Tipo de memoria
Volatile
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Formato de la memoria
SRAM
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Tecnología
SRAM - Asynchronous
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Organización de la memoria
1K x 4
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Interfaz de memoria
Parallel
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Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
150ns
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Tiempo de acceso
150 ns
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Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
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Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
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Tipo de montaje
Through Hole
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Paquete / Caja (carcasa)
18-CDIP
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Paquete del dispositivo del proveedor
18-CDIP
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