Tipo de memoria
Volatile
Volatile
Formato de la memoria
SRAM
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
SRAM - Asynchronous
Organización de la memoria
1K x 4
4K x 1
Interfaz de memoria
Parallel
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
150ns
55ns
Tiempo de acceso
150 ns
55 ns
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
18-CDIP
18-CDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
18-CDIP
18-CDIP
