MD2114AL-4/B
MD2114AL-4/B
Active
Descripción:  1K X 4 SRAM
Fabricante:  Rochester Electronics
Ficha de datos:   MD2114AL-4/B Ficha de datos
Precio histórico: Active
En stock: 5000
MD2114AL-4/B vs MD2148H
Pieza Mfr
Categoría
Serie
-
-
Embalaje
Bulk
Bulk
Estado
Active
Active
Tipo de memoria
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Volatile
Formato de la memoria
-
SRAM
Tecnología
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SRAM - Asynchronous
del programa
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4Kbit
Organización de la memoria
-
1K x 4
Interfaz de memoria
-
Parallel
Frecuencia de reloj
-
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
70ns
Tiempo de acceso
-
70 ns
Voltaje de la fuente
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4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
Tipo de montaje
-
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
-
18-CDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
-
18-CDIP