Configuración dirigida
Low-Side
Low-Side
Tipo de canal
Independent
Independent
Cantidad de controladores
2
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 35V
4.5V ~ 30V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3V
0.8V, 3V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
2A, 2A
2A, 2A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
-
Tiempo de subida/bajada
7.5ns, 6.5ns
7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC-EP
8-DIP
