Tipo de memoria
Non-Volatile
Non-Volatile
Formato de la memoria
EEPROM
EEPROM
Organización de la memoria
128 x 8, 64 x 16
256 x 16
Interfaz de memoria
Microwire
Microwire
Frecuencia de reloj
1 MHz
1 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
10ms
10ms
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP
8-DIP
