Tipo de memoria
Non-Volatile
Non-Volatile
Formato de la memoria
EEPROM
EEPROM
del programa
256bit
2Kbit
Organización de la memoria
16 x 16
128 x 16
Interfaz de memoria
Microwire
Microwire
Frecuencia de reloj
1 MHz
1 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
10ms
10ms
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP
8-SOIC
