AS4C8M16S-6BIN
AS4C8M16S-6BIN
Obsolete
Descripción:  IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
Fabricante:  Alliance Memory
Precio histórico: Obsolete
En stock: 43000
AS4C8M16S-6BIN vs AS4C8M32SA-6BIN
Categoría
Serie
-
-
Embalaje
Tray
Tray
Estado
Obsolete
Active
Tipo de memoria
Volatile
Volatile
Formato de la memoria
DRAM
DRAM
Tecnología
SDRAM
SDRAM
del programa
128Mbit
256Mbit
Organización de la memoria
8M x 16
8M x 32
Interfaz de memoria
Parallel
Parallel
Frecuencia de reloj
166 MHz
166 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
2ns
2ns
Tiempo de acceso
5 ns
5 ns
Voltaje de la fuente
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
54-TFBGA
90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
54-TFBGA (8x8)
90-TFBGA (8x13)