Tipo de memoria
Volatile
Volatile
Formato de la memoria
SRAM
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
SRAM - Synchronous
Organización de la memoria
4K x 1
1K x 4
Interfaz de memoria
Parallel
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
290ns
420ns
Tiempo de acceso
220 ns
320 ns
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
18-DIP (0.300", 7.62mm)
18-CDIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
18-CERDIP
18-CERDIP
