Tipo de memoria
Non-Volatile
Non-Volatile
Formato de la memoria
EEPROM
EEPROM
Organización de la memoria
256 x 8
512 x 8
Interfaz de memoria
Single Wire
Single Wire
Frecuencia de reloj
100 kHz
100 kHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
5ms
5ms
Voltaje de la fuente
1.8V ~ 5.5V
1.8V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDIP
TO-92-3
