Embalaje
Tape & Reel (TR)
Bag
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
260mA (Tj)
175mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V @ 2mA
2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
225 pF @ 25 V
125 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.3W (Ta)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
