Serie
SuperMESH5
STripFET H7
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
6A (Tc)
80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
3.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V @ 100μA
1.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
16.5 nC @ 10 V
13.7 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
450 pF @ 100 V
2110 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (Máx.)
110W (Tc)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
DPAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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