Serie
DeepGATE, STripFET VII
MDmesh II
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
80A (Tc)
5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V @ 250μA
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
61 nC @ 10 V
14 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4369 pF @ 50 V
363 pF @ 50 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
120W (Tc)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
DPAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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