Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
85A (Tc)
57A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 110A, 10V
8.8mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 1.5mA
2.5V @ 650μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
94.2 nC @ 10 V
38.6 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6200 pF @ 15 V
2520 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
135W (Tc)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263
TO-263
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
