Estado
Not For New Designs
Discontinued
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
10A
50A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.55 V @ 10 A
1.4 V @ 50 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
200 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
200 μA @ 600 V
13 μA @ 200 V
Capacitancia según Vr, F
365pF @ 1V, 1MHz
-
Tipo de montaje
Through Hole
-
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2
Module
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FM
-
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
175 ℃ (Max)
150 ℃ (Max)
