S3M-E3/9AT
S3M-E3/9AT
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Fabricante:  Vishay
Ficha de datos:   S3M-E3/9AT Ficha de datos
Precio histórico: $0.54000
En stock: 17000
S3M-E3/9AT vs S3MB
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1000 V
1000 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
3A
3A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.15 V @ 2.5 A
1.1 V @ 3 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
2.5 μs
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
10 μA @ 1000 V
5 μA @ 1000 V
Capacitancia según Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-214AB, SMC
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-214AB (SMC)
SMB (DO-214AA)
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃