Tipo de transistor
NPN
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
5 A
15 A
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
80 V
200 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
3V @ 1A, 10A
Corriente - Corte de colector (Máx.)
100μA
100μA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
30 @ 5A, 4V
Potencia - Máx.
2 W
150 W
Frecuencia - Transición
120MHz
20MHz
Temperatura de funcionamiento
-65 ℃ ~ 200 ℃
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Chassis, Stud Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
TO-111-4, Stud
3-SIP
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-111
3-SIP