NTE640
NTE640
Active
Descripción:  DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE640 Ficha de datos
Precio histórico: $0.16000
En stock: 15000
NTE640 vs NTE634
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Schottky
Avalanche
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
40 V
200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
2A
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
500 mV @ 2 A
980 mV @ 2 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
25 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
500 μA @ 40 V
5 μA @ 200 V
Capacitancia según Vr, F
150pF @ 4V, 1MHz
100pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
DO-214AA, SMB
SOD-57, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-214AA
SOD-57
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 125 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃