NTE639
NTE639
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE639 Ficha de datos
Precio histórico: $0.24000
En stock: 4500
NTE639 vs NTE631
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1300 V
75 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
3A
250mA
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1 V @ 3 A
1.25 V @ 150 mA
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
4 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
5 μA @ 1300 V
1 μA @ 75 V
Capacitancia según Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-201AD, Axial
SOD-110
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-201AD
SOD-110
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 125 ℃
150 ℃