NTE633
NTE633
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE633 Ficha de datos
Precio histórico: $0.11000
En stock: 15500
NTE633 vs NTE640
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
100 V
40 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
250mA
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.25 V @ 150 mA
500 mV @ 2 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
4 ns
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
1 μA @ 75 V
500 μA @ 40 V
Capacitancia según Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
SC-76, SOD-323
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
SOD-323
DO-214AA
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
150 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃