NTE633
NTE633
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE633 Ficha de datos
Precio histórico: $0.11000
En stock: 15500
NTE633 vs NTE621
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
100 V
400 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
250mA
1A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.25 V @ 150 mA
1.1 V @ 1 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
4 ns
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
1 μA @ 75 V
10 μA @ 400 V
Capacitancia según Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
SC-76, SOD-323
DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOD-323
DO-213AB
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
150 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃