NTE631
NTE631
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD110
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE631 Ficha de datos
Precio histórico: $0.22000
En stock: 5000
NTE631 vs NTE635
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Avalanche
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
75 V
400 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
250mA
1.9A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.25 V @ 150 mA
1.05 V @ 2 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
4 ns
50 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
1 μA @ 75 V
5 μA @ 400 V
Capacitancia según Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
80pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
SOD-110
SOD-57, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOD-110
SOD-57
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
150 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃