NTE619
NTE619
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 600V 5A DO27
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE619 Ficha de datos
Precio histórico: $1.29000
En stock: 10500
NTE619 vs NTE637
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
30 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
5A
200mA
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.5 V @ 5 A
800 mV @ 100 mA
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr)
50 ns
5 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
50 μA @ 600 V
2 μA @ 25 V
Capacitancia según Vr, F
170pF @ 4V, 1MHz
10pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-201AA, DO-27, Axial
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-27
SOT-23
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃