NTE6165
NTE6165
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO8
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE6165 Ficha de datos
Precio histórico: $80.08000
En stock: 0
NTE6165 vs NTE631
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1600 V
75 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
150A
250mA
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.1 V @ 200 A
1.25 V @ 150 mA
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
4 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
5 mA @ 1600 V
1 μA @ 75 V
Capacitancia según Vr, F
-
1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Stud Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-203AA, DO-8, Stud
SOD-110
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-8
SOD-110
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 190 ℃
150 ℃