NTE6163
NTE6163
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO8
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE6163 Ficha de datos
Precio histórico: $61.88000
En stock: 29000
NTE6163 vs NTE642
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1400 V
100 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
150A
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.1 V @ 200 A
850 mV @ 2 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
5 mA @ 1400 V
500 μA @ 100 V
Capacitancia según Vr, F
-
100pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Stud Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-8
DO-214AA
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 190 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃