NTE6157
NTE6157
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 600V 150A DO8
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE6157 Ficha de datos
Precio histórico: $48.75000
En stock: 37000
NTE6157 vs NTE642
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
100 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
150A
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.4 V @ 150 A
850 mV @ 2 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
12 mA @ 600 V
500 μA @ 100 V
Capacitancia según Vr, F
-
100pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Stud Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-8
DO-214AA
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-40 ℃ ~ 200 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃