NTE6113
NTE6113
Active
Descripción:  DIODE GP 600V 1625A DO200AB
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE6113 Ficha de datos
Precio histórico: $182.00000
En stock: 500
NTE6113 vs NTE635
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Avalanche
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
400 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
1625A
1.9A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.93 V @ 3770 A
1.05 V @ 2 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
50 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
30 mA @ 600 V
5 μA @ 400 V
Capacitancia según Vr, F
-
80pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Chassis Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
DO-200AB, B-PUK
SOD-57, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-200AB
SOD-57
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-30 ℃ ~ 175 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃