NTE170
NTE170
Active
Descripción:  R-SI BRIDGE 1000V 2A
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE170 Ficha de datos
Precio histórico: $3.00000
En stock: 38500
NTE170 vs NTE5327
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tipo diodo
Single Phase
Single Phase
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - Pico invertido (Máx.)
1 kV
800 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
2 A
25 A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.1 V @ 2 A
1.1 V @ 12.5 A
Corriente - Fuga inversa a Vr
10 μA @ 1000 V
10 μA @ 800 V
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
QC Terminal
Paquete / Caja (carcasa)
4-SIP
4-Square
Paquete del dispositivo del proveedor
4-SIP
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