NTE117
NTE117
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE117 Ficha de datos
Precio histórico: $6.05000
En stock: 29500
NTE117 vs NTE6246
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
750mA
15A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.2 V @ 500 mA
1.05 V @ 15 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
35 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
400 μA @ 600 V
10 μA @ 200 V
Capacitancia según Vr, F
-
-
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
DO-204AE, DO-26, Axial
TOP-3
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-26
TOP3
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 175 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃