NTE116
NTE116
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Fabricante:  NTE Electronics
Ficha de datos:   NTE116 Ficha de datos
Precio histórico: $0.62000
En stock: 48000
NTE116 vs NTE640
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Bag
Bag
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
40 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
1A
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.1 V @ 1 A
500 mV @ 2 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
10 μA @ 600 V
500 μA @ 40 V
Capacitancia según Vr, F
-
150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-41
DO-214AA
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃