MSRT10080AD
MSRT10080AD
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Fabricante:  GeneSiC Semiconductor
Ficha de datos:   MSRT10080AD Ficha de datos
Precio histórico: $57.69880
En stock: 8500
MSRT10080AD vs MSRTA30080AD
Serie
-
-
Embalaje
Bulk
Bulk
Estado
Active
Active
Configuración de diodo
1 Pair Series Connection
1 Pair Series Connection
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
800 V
800 V
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo)
100A
300A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.1 V @ 100 A
1.1 V @ 300 A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
10 μA @ 800 V
20 μA @ 800 V
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃
Tipo de montaje
Chassis Mount
Chassis Mount
Paquete / Caja (carcasa)
Three Tower
Three Tower
Paquete del dispositivo del proveedor
Three Tower
Three Tower