Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
14A (Tc)
30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
120mOhm @ 7A, 5V
35mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V @ 250μA
2V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24 nC @ 5 V
25 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
755 pF @ 25 V
880 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
62W (Tc)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
