Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tube
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
14A (Ta)
51A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 4.5V
13.6mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V @ 250μA
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
33 nC @ 5 V
46 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2335 pF @ 16 V
1460 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.1W (Ta)
82W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TO-220-3
