Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3.4A (Ta)
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 10V
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Vgs(th) (máx) a Id
3V @ 250μA
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3.5 nC @ 5 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
205 pF @ 15 V
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Característica de FET
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Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
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Tipo de montaje
Surface Mount
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Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
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Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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