ES3HB
ES3HB
Active
Descripción:  DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
Fabricante:  Taiwan Semiconductor
Ficha de datos:   ES3HB Ficha de datos
Precio histórico: $0.47700
En stock: 0
ES3HB vs ES3JB
Pieza Mfr
Serie
-
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Estado
Active
Active
Tecnología
Standard
Standard
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
500 V
600 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
3A
3A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.45 V @ 3 A
1.45 V @ 3 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
35 ns
35 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
10 μA @ 500 V
10 μA @ 600 V
Capacitancia según Vr, F
34pF @ 4V, 1MHz
34pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-214AA, SMB
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-214AA (SMB)
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃