Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
18A (Ta)
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 11A, 5V
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Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 3mA
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
4 nC @ 5 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
407 pF @ 50 V
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Característica de FET
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Disipación de potencia (Máx.)
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Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
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Tipo de montaje
Surface Mount
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Paquete del dispositivo del proveedor
Die
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Paquete / Caja (carcasa)
Die
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