Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Característica de FET
80V
60V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
9.5A, 38A
23A
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
4.4mOhm @ 20A, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
2.5V @ 7mA
Vgs(th) (máx) a Id
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
6.8nC @ 5V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
830pF @ 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Die
Paquete del dispositivo del proveedor
-
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