Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
2 N-Channel (Dual) Common Source
Configuración
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Característica de FET
60V
120V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
9.5A, 38A
3.4A
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
60mOhm @ 4A, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
2.5V @ 700μA
Vgs(th) (máx) a Id
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
0.8nC @ 5V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
80pF @ 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Die
Paquete del dispositivo del proveedor
-
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